小弟最近使用 UMC 90nm CMOS 工艺进行电路設计，版圖基本上已经完成，但是最后一步的時候遇到了麻煩，DRC 检测的时候， 总是说电容還有PAD与金属线连接有问题。 "All Cu-Metal layers METAL_m (which are not the UM (upper metal) layer) are also recommended to avoid touching MIMBP (bottom plate of MIM Capacitor)". PAD 连接的时候也有这个问題。但是在UMC0.18um的工艺中，就没有这个问题，那個电容版图模型就做的比较好。我覺得主要是UMC90nm的版图把电容包得太严实了。有很多层的metal "dum", 也不清楚这个到底是干什么用的。 同时LVS没有问题，但是提取寄生参数的时候却失敗了，我觉得可能是由于DRC的问题导致提取寄生参数失敗。