小弟最近使用 UMC 90nm CMOS 工藝进行電路设计，版图基本上已經完成，但是最后一步的时候遇到了麻烦，DRC 检測的时候， 总是说电容還有PAD与金屬線连接有问题。 "All Cu-Metal layers METAL_m (which are not the UM (upper metal) layer) are also recommended to avoid touching MIMBP (bottom plate of MIM Capacitor)". PAD 连接的时候也有這個问題。但是在UMC0.18um的工艺中，就没有这个问题，那个电容版图模型就做的比较好。我觉得主要是UMC90nm的版图把电容包得太嚴实了。有很多層的metal "dum", 也不清楚這个到底是干什么用的。 同时LVS没有问題，但是提取寄生参数的时候却失败了，我觉得可能是由于DRC的问题导致提取寄生参數失敗。